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著(zhu)名(ming)的摩爾(er)定(ding)律揭(jie)示集(ji)成電路(lu)上可以容(rong)納的晶體(ti)管(guan)數(shu)目在(zai)大約每2年(nian)便(bian)會增(zeng)加一(yi)倍。雖然隨著(zhu)國際半導(dao)體(ti)的技術(shu)發展路(lu)線圖的更(geng)新(xin)，這(zhe)一(yi)趨勢現在(zai)開始(shi)放緩(huan)，摩爾(er)定(ding)律逐漸失效，但(dan)它仍然是半導(dao)體(ti)行業快速增(zeng)長和發展的強大驅動力。

高(gao)精(jing)du的流(liu)(liu)量測量和(he)控(kong)制(zhi)是(shi)許多半(ban)導體制(zhi)造(zao)技術的關鍵。科里奧利質(zhi)量流(liu)(liu)量計和(he)控(kong)制(zhi)器是(shi)小流(liu)(liu)量液(ye)體應用的理想選擇，因具有(you)多種優(you)點，使其(qi)成為半(ban)導體工藝的理想選擇。

在本文中(zhong)，我們將簡要討論(lun)半導體行(xing)業并講述科(ke)里奧利質(zhi)量流量控制技術的作用。

半(ban)導(dao)體(ti)(ti)制(zhi)造涉及(ji)大量的(de)加工技(ji)術。對于集成電路芯片，將(jiang)一(yi)個圓(yuan)柱形的(de)晶(jing)錠切成薄片，進(jin)行清洗和(he)拋光，然后再進(jin)行各(ge)種(zhong)加法(fa)和(he)減法(fa)處理(li)步(bu)(bu)驟。其中(zhong)一(yi)個關(guan)鍵步(bu)(bu)驟，是半(ban)導(dao)體(ti)(ti)工業中(zhong)應用最(zui)為廣泛的(de)一(yi)種(zhong)叫做化學氣(qi)相沉(chen)積(CVD)的(de)技(ji)術。

 CVD 

／化學氣相沉積／

化學氣(qi)相沉積法是傳統的(de)制備薄膜的(de)技術，指(zhi)化學氣(qi)體(ti)或蒸汽在基質(zhi)表面反應(ying)合成涂(tu)層或納(na)米材料的(de)方法，是半導體(ti)工(gong)業中(zhong)應(ying)用(yong)最為廣(guang)泛的(de)用(yong)來沉積多種材料的(de)技術。在集成電路的(de)制造過程中(zhong)，襯底(di)通常為硅片(pian)。CVD能夠創造高阻隔膜，非常適用(yong)于(yu)具有復雜幾何形狀的(de)集成電路。

這個過程(cheng)可以簡單地用幾(ji)個步(bu)驟來(lai)描述:

-襯底(在這種(zhong)情況下是(shi)硅片)被裝(zhuang)入真(zhen)空室。

-使用(yong)質量流量控制器(qi)將qian qu物(wu)精que地從儲罐流向汽化區(qu)域。

-通過增加熱量和/或降低壓力而汽化xian驅物(wu)。

-氣態的前驅物進入真空(kong)室，并反(fan)應形(xing)成聚合物沉積在基材(cai)表(biao)面。

-所有揮(hui)發性的(de)副產物通過腔室橫向(xiang)氣流排出。